Публикации 2008

НОВОСТИ

14-08-2019

Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs

выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019

Подробнее

21-07-2019

XIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре

Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов

Подробнее

23-06-2019

Сравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs

полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019

Подробнее

22-05-2019

«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва

Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня

Подробнее

28-04-2019

"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO

Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12

Подробнее

04-03-2019

EpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин

Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии

Подробнее

14-02-2019

XXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте

Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты

Подробнее

24-01-2019

Оценка условий труда по ФЗ № 426

Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест

Подробнее

Все новости

Название статьи	журнал
Особенности легирования углеродом GaAs и AlGaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии Ладугин М.А., Сухарев А.В., Падалица А.А., Булаев П.В., Мармалюк А.А.	Материалы Электронной Техники. Известия вузов. 2008. №1. С. 36-40.
Исследование транспорта в сверхрешетках со слабыми барьерами: на пути к ТГц Ванье-Штарковским лазерам в модифицированной схеме Казаринова и Суриса А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица	Тезисы Симпозиума «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». Санкт-Петербург, Россия. 5-7 ноября 2008 г. С. 13.
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии Акчурин Р.Х., Андреев А.Ю., Берлинер Л.Б., Говорков О.И., Дураев В.П., Малджы А.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Сабитов Д.Р., Сухарев А.В.	Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. №1. С. 70-75.
Исследование влияния температуры роста квантово-размерных гетероструктур AlGaAs/GaAs на их излучательные характеристики Телегин К.Ю., Акчурин Р.X., Сухарев А.В., Сабитов Д.Р., Панин А.А., Падалица A.А., Мармалюк А.А.	Материалы Электронной Техники. Известия вузов. 2008. №2. С. 66-68.
Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур Андреева Е.В., Волков Н.А., Костин Ю.О., Лапин П.И., Мармалюк А.А., Сабитов Д.Р., Якубович С.Д.	Квантовая электроника. 2008. Т. 38. №8. С. 744-746.