НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееМЕТОД МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ (MOCVD)
Компания Сигм Плюс предлагает широкий спектр полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, для различных приборов оптоэлектроники и ИК-техники.
А также Сигм Плюс является дистрибьютером фирмы Aixtron AG, мирового лидера в производстве оборудования для газофазной эпитаксии для различных систем материалов: соединения А3В5, Si, SiGe и др.
Метод газофазной эпитаксии (и его разновидности, такие, например, как МОС-гидридная эпитаксия или MOCVD) основан на подаче в ростовую зону исходных компонентов эпитаксиальных слоев в виде легколетучих простых веществ или соединений в потоке газа-носителя. В реакторе происходит разложение этих материалов, стимулированное термически или иным путем, и идут химические реакции с их участием, при этом требуемые компоненты осаждаются на подложку, являющуюся основой полупроводникового прибора.
|
Структуры, полученые методом MOC-гидридной эпитаксии, используются в следующих областях: |
|||
|
Состав структуры |
Устройство |
Область применения |
|
|
AlGaInP |
светодиоды, лазеры |
автостроение, светофоры, |
 |
|
InGaN |
синие светодиоды |
дисплеи, CD, автостроение |
|
|
AlGaAs |
лазеры |
CD, телекоммуникации |
|
|
GaAs |
солнечные элементы |
спутники, бытовая техника |
|
|
GaInP |
транзисторы, интегральные микросхемы |
сотовые телефоны, радары |
|
Основные требования к полупроводниковым гетероструктурам:
- Однородность толщины и состава слоев: разброс по пластине не более ±1%.
- Температурная однородность по пластине: ΔT = ±1°C в широком диапазоне температур.
- Воспроизводимость от пластины к пластине, от процесса к процессу.
- Низкая себестоимость, большой выход с одной пластины, высокое относительное время работы системы.
Преимущества использования технологии MOCVD:
- Чрезвычайно высокое качество выращиваемых слоев (большая скорость роста при высокой однородности легирования и воспроизводимости).
- Высокий выход, кроме того не требуется ультраглубокий вакуум (как в технологии MBE), что более экономически выгодно и увеличивает относительное время работы системы.
- Гибкость технологии: различные материалы могут быть выращены на одной установке и в течение одного процесса
- Возможность получения резких границ, таким образом, технология подходит для выращивания гетероструктур (например, структур со множественными квантовыми ямами(MQW)).
