НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееXIV РОССИЙСКАЯ КОНФЕРЕНЦИЯ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В СЕНТЯБРЕ 2019-07-21
C 9 по 13 сентября около новосибирского Академгородка, в сосновом бору на берегу Бердского залива, состоится XIV конференция по физике полупроводников. В рамках конференции обсуждаются фундаментальные вопросы, касающиеся как объемных полупроводников, так и двумерных и нульмерных систем, а также приборов на их основе. Обсуждаются такие аспекты физики полупроводников, как спиновые явления, наномагнетизм, высокочастотные явления, метаматериалы и многое другое. Подробнее ознакомиться с программой конференции можно по ссылке >>>
В работе конференции примут участие и наши коллеги. Они подготовили четыре доклада:
Непрерывные 100-ваттные лазерные линейки (с КПД до 60%) на основе гетероструктур (In)GaAsP/GaInP/GaAs, излучающих на длине волны 760-780 нм
Создание мощных полупроводниковых лазерных линеек спектрального диапазона 760-780 нм, работающих в непрерывном режиме, является одной из сложных и востребованных задач для многих областей применения. Сложности данного спектрального диапазона обусловлены, прежде всего, тем, что традиционно используемые полупроводниковые гетероструктуры AlGaAs/GaAs из-за содержания Al в активной области подвержены быстрой деградации лазерных характеристик ввиду наличия вредных примесных атомов на поверхности сколотой грани и в глубине полупроводника, выступающих в качестве центров безызлучательной рекомбинации. Наиболее перспективным и целесообразным способом повышения мощности излучателя является использование гетероструктур не содержащих алюминий в активной и волноводной области (так называемые, Al-free структуры). В связи с этим настоящая работа была посвящена разработке, получению и исследованию мощных непрерывных лазерных излучателей, изготовленных на основе высокоэффективных (In)GaAsP/GaInP/GaAs гетероструктур.
600-ваттные лазерные линейки на основе гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InAlGaAs и GaAsP спектрального диапазона 800-820 нм
Высокомощные лазерные линейки и решетки, работающие в ближнем ИК-диапазоне, чрезвычайно актуальны во многих практических задачах. Безусловно, это требует создания приборов с улучшенными выходными характеристиками, что проводит к необходимости дальнейшего совершенствования конструкции и технологии получения полупроводниковых гетероструктур. В данной работе были проведены комплексные исследования излучательных характеристик согласованных и напряженных квантоворазмерных структур спектрального диапазона 800-820 нм. Объектами исследования, помимо классических одиночных квантовых ям на основе AlGaAs, были квантовые ямы GaAsP с напряжениями растяжения и квантовые ямы InAlGaAs с напряжениями сжатия, окруженные барьерными слоями широкозонного AlGaAs.
Особенности роста эпитаксиальных упругонапряженных гетероструктур AlGaInAs/InP для полупроводниковых лазеров
Одной из наиболее перспективных полупроводниковых композиций полупроводниковых лазеров, используемых в волоконно-оптических линиях связи в качестве управляемых источников излучения, является гетероструктура AlGaInAs/InP с множественными квантовыми ямами. Достижению повышенных рабочих характеристик таких лазеров способствуют большие значения разрыва зоны проводимости на гетерограницах и возможности формирования эпитаксиальных слоев с напряжениями сжатия или растяжения. В этой работе на основе модели силового баланса проанализирована вероятность образования дислокаций несоответствия в спроектированной конфигурации активной области гетероструктуры AlGaInAs/InP. Методом МОС-гидридной эпитаксии осуществлен рост упругонапряженных гетероструктур с одиночной квантовой ямой и множественными квантовыми ямами. Исследования фотолюминесценции полученных образцов показали высокие излучательные характеристики на длинах волн близких к 1,55 мкм.
Двойной полупроводниковый лазер, интегрированный с электронным ключом
Для многих практических применений требуются полупроводниковые лазеры с выходными характеристиками, превосходящими возможности отдельных излучателей. Очевидным путем решения данной задачи является создание многоэлементных лазерных излучателей. Для повышения яркости лазерного излучения и уменьшения массогабаритных параметров приборов перспективным представляется создание лазеров на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Также эпитаксиальная интеграция также открывает путь к созданию нескольких функционально различных компонентов в рамках одного кристалла. Данная работа направлена на исследование возможности монолитной интеграции нескольких лазерных излучающих областей с электронным ключом, обеспечивающим работу в импульсном режиме генерации.
Приглашаем принять участие в конференции, к форме регистрации можно перейти по ссылке >>>. Если Вас заинтересовали материалы наших докладов, Вы хотите их обсудить, можете написать Александру Мармалюку: almarm@mail.ru.