НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееСРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ КВАНТОВЫХ ЯМ GAAS/GAINP И GAAS/ALGAAS 2019-06-23
В журнале «Неорганические материалы», т.55, №4, 2019 вышла статья наших коллег, посвященная подбору наиболее эффективных методов получения высококачественных квантовых ям GaAs/GaInP методом МОС-гидридной эпитаксии в экспериментальных условиях.
Квантоворазмерные гетероструктуры (Al)GaAs/AlGaAs широко применяются в оптоэлектронике и СВЧ-технике. Вместе с тем, для ряда практических задач оказывается критичным наличие глубоких центров безызлучательной рекомбинации. Их концентрация напрямую связана с содержанием кислорода в слоях. Установлено, что атомы алюминия имеют высокое сродство к кислороду, и по мере увеличения мольной доли AlAs в AlGaAs растет содержание кислорода. В связи с этим ведется разработка квантоворазмерных структур, не содержащих алюминий в активной области, но обеспечивающих генерацию излучения в том же спектральном диапазоне.
В качестве замены (Al)GaAs/AlGaAs зачастую рассматриваются квантовые ямы Ga(In)As(P)/(Al)GaInP. При этом удается в значительной степени избежать проблем внедрения кислорода в растущие слои, однако получение таких слоев осложняется комплексом поверхностных процессов, нарушающих заданный концентрационный профиль распределения основных элементов. Поиском оптимальных условий роста слоев GaAs/GaInP и занимались авторы статьи.
Результатом работы стало создание методом МОС-гидридной эпитаксии квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs с длиной волны излучения 860 нм. Квантовые ямы GaAs/GaInP демонстрируют на 2 порядка более интенсивный сигнал ФЛ по сравнению с GaAs/AlGaAs. Авторы установили, что на повышение излучательной эффективности квантовых ям GaAs/GaInP благоприятно сказываются снижение температуры роста и введение промежуточных слоев GaP на гетерограницах, тогда как для GaAs/AlGaAs наиболее действенным оказывается повышение температуры роста.
Полный текст статьи доступен по ссылке №1 или ссылке №2.