НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееСИСТЕМА ИЗМЕРЕНИЯ ЭФФЕКТА ХОЛЛА HL9900
HL9900 представляет собой высокоэффективную систему, предназначенную для проведения измерений эффекта Холла и позволяющую определять сопротивление, концентрацию и подвижность носителей в полупроводниках. Являясь модульной по принципу построения, система легко модифицируется и может использоваться для широкого диапазона материалов, в том числе кремния и различных полупроводниковых соединений.
Прибор позволяет проводить измерения полупроводниковых слоев как с низким, так и высоким электрическим сопротивлением. Программное обеспечение HL9900 имеет интуитивно понятный интерфейс и не требует каких-либо специальных навыков для установки, настройки и использования.