НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееКОМПАНИЯ EPISTAR (ТАЙВАНЬ) ПРИОБРЕЛА 150-УЮ ПО СЧЕТУ СИСТЕМУ AIXTRON 2009-07-02
Заказ на несколько машин включает в себя реакторы CRIUS Close Coupled Showerhead (CCS) и реакторы планетарного типа AIX 2800G4 HT, предназначенные для массого производства светодиодов на основе GaN.
Бернд Шульте (вице-президент AIXTRON) лично поздравил президента Epistar с приобретением 150-ой системы AIXTRON (на фото).
Корпорация Epistar специализируется на разработке, производстве и продвижении сверхярких светодиодов. С помощью собственной MOCVD-технологии компания производит весь спектр HBLED с превосходными характеристиками: компактным размером, высоким КПД и длительным временем работы.
По материалам сайта www.aixtron.com
