НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееКОМПАНИЯ AIXTRON ВЫПУСТИЛА СИСТЕМУ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СТРУКТУР НА SIC - AIX 2800 G4 WW 2009-10-15
Ростовая установка AIX 2800 G4 WW (Warm Wall) обеспечивает наибольшую производительность при высокой надежности системы и простоте обслуживания и предназначена для массового производства эпитаксиальных структур на основе карбида кремния. Непревзойденные характеристики (улучшенная морфология эпитаксиальных слоев, высокий выход годных, низкая себестоимость конечного продукта) были достигнуты благодаря ряду решений, таких как тройной водоохлаждаемый инжектор для подачи исходных компонентов в реактор.
Компания Dow Corning Compound Semiconductor Solutions уже разместила заказ на первую систему AIX 2800 G4 WW в конфигурации 10х100 мм (с возможностью использования в будущем пластин SiC диаметром 150 мм) для производства структур, используемых в сверхмощных полупроводниковых устройствах. Установку планируется запустить во втором квартале 2010 года.
Система нового поколения AIX 2800 G4 WW является логическим продолжением развития концепции соединения технологии планетарного типа с высокотемпературными реакторами с горячей стенкой для выращивания эпитаксиальных структур на основе SiC. Карбид кремния в настоящее время является перспективным материалом для производства сверхмощных, высокотемпературных и радиационноустойчивых полупроводниковых приборов.