НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееРЕАКТОР НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ AIX G5 HT 2010-03-01
Реактор нового поколения AIX G5 HT от компании AIXTRON устанавливает абсолютный рекорд производительности при росте материалов на основе нитридов галлия и индия.
Компания AIXTRON (Аахен, Германия) представляет пятое поколение MOCVD высокотемпературных реакторов AIX G5 HT. Система на платформе MOCVD нового поколения показала высочайшее качество выращивания слоев GaN при очень больших скоростях роста и при высоком давлении (свыше 600 мбар), а также превосходную однородность слоев GaN/InGaN. Ростовые циклы, которые осуществлялись в корпорации Epistar (технопарк Синчу, Тайвань), были проведены последовательно, без отжига и замены каких-либо частей реактора. Новый MOCVD реактор в настоящее время поступает в массовое производство.
Реактор MOCVD на платформе нового поколения AIX G5 HT вмещает абсолютно рекордное количество подложек (56x2” или 14x4” или 8x6”) и имеет революционные особенности дизайна реактора, позволяющие работать на больших скоростях роста и осуществлять последовательные ростовые циклы без отжига реактора и замены каких-либо деталей. Все это обеспечивает высочайшее качество продукции при более чем удвоенной производительности по сравнению с предыдущими поколениями реакторов.
Реактор новой конструкции обладает высокой гибкостью ростового процесса при превосходной стабильности. Системы AIX G5 HT обеспечивают наименьшее время производства при высокой воспроизводимости от реактора к реактору, что ускоряет расширение производства по сравнению с любыми другими реакторами путем простого копирования рецепта при переносе процесса. Это является ключевым фактором в условиях быстро расширяющегося спроса при ограниченном количестве специалистов-технологов.
Нитриды 3-й группы Периодической системы благодаря своим свойствам являются лидирующим материалом для изготовления сверхярких синих, зеленых, ультрафиолетовых и белых светодиодов, а также синих/фиолетовых лазерных диодов. Благодаря своей физической и радиационной стойкости, химической стабильности и инертности они идеально подходят для применений в космическом пространстве, при высоких температурах, высоких давлениях, высоких мощностях. На их основе созданы солнечно-слепые фотодетекторы, биологические и химические сенсоры, различные типы транзисторов с высоким напряжением пробоя и др.
В настоящее время MOCVD технология является ключевой промышленной технологией получения эпитаксиальных гетероструктур для указанных выше приборов и применений.
По материалам сайта www.aixtron.com.
