НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееСИСТЕМА AIX G5+ ДЛЯ GAN НА КРЕМНИИ 2012-07-25
Новейшая разработка компании AIXTRON SE представляет собой систему для выращивания нитрида галлия на кремнии производительностью 5x200 мм, в основе которой лежит платформа планетарного реактора последнего поколения AIX G5®. Технология была создана в лаборатории исследований и разработок компании AIXTRON в соответствии с современными тенденциями в мире высоких технологий и включает в себя специальную конструкцию реактора и ряд усовершенствований технологического процесса. Система является продолжением линейки реакторов поколения G5, и любая система G5 может быть модернизирована до последней версии.
«Технология выращивания нитрида галлия на кремнии в настоящий момент является актуальной как для производителей, выпускающих установки МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), так и для компаний использующих эту технологию для производства - утверждает Д-р Райнер Беккард, вице-президент по маркетингу компании AIXTRON. - «Технология уже является наиболее перспективной в быстрорастущем сегменте силовой электроники, а также многообещающим кандидатом при производстве высокоэффективных недорогих сверхъярких светодиодов. Размер и материал подложки играют ключевую роль, когда речь заходит о снижении себестоимости продукции, и поэтому переход на стандартные кремниевые подложки диаметром 200 мм является логичным шагом развития технологии, поскольку это обеспечивает существенную экономию».
В процессе разработки системы AIX G5+ широко использовалось моделирование, что позволило сконструировать принципиально новые компоненты реактора, обеспечивающие уникальные характеристики системы производительностью 5x200 мм при сохранении совместимости с проверенной платформой G5.
Некоторые предварительные отзывы от пользователей подтверждают успех данной технологической разработки. Многие из них в особенности отмечают полную аксиально- симметричную однородность на всех пяти пластинах диаметром 200 мм, возможность использования кремниевых подложек стандартной толщины, а также контролируемый изгиб пластин. Эта уникальная картина однородности присуща всем системам на основе технологии планетарного реактора AIXTRON, и сейчас она стала доступна при выращивании пластин 5x200 мм GaN на кремнии в конфигурации реактора 5x200 мм.
Источник: www.aixtron.com