НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ GAN НА SI НА ПОДЛОЖКАХ ДИАМЕТРОМ 200 ММ 2012-07-23
Молодая компания EpiGaN из бельгийского города Хасселт, специализирующаяся на эпитаксии нитридных соединений, недавно приобрела две системы МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD) производства компании AIXTRON, позволяющие выращивать эпитаксиальные гетероструктуры на подложках диаметром 6 или 8 дюймов (150 или 200 мм). Эти системы будут использоваться как для коммерческого производства эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 150 мм для приборов ВЧ- и силовой электроники, так и для разработки технологии получения эпитаксиальных пластин нитрида галлия на кремниевых подложках диаметром 200 мм.
Компания EpiGaN отделилась от известного бельгийского исследовательского института IMEC в 2010 году. Команда EpiGaN имеет за плечами несколько лет успешной работы в IMEC с эпитаксиальными системами компании AIXTRON со струйным вводом компонентов (Close Coupled Shoverhead в исследованиях структур GaN на кремнии. Поэтому руководство компании убеждено в том, что установки AIXTRON идеально подходят для задач, стоящих перед EpiGaN.
Структуры на основе GaN на кремниевых подложках применяются в ряде мощных высокоэффективных электронных ВЧ устройствах в таких областях, как бытовая электроника, гибридные автомобили и солнечные элементы, беспроводные ВЧ базовые станции и интеллектуальные сети и т.д. Уникальные показатели силовых приборов на основе GaN позволяют значительно повысить эффективность и снизить энергопотребление в системах распределения питания коммуникационного, автомобильного, бытового и вычислительного оборудования.
Источник: www.aixtron.com