НОВОСТИ
XXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
Подробнее"МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники" в издательстве "Техносфера"
В конце прошлого года в свет вышла книга нашего коллеги, посвященная современному состоянию развития технологии МОС-гидридной эпитаксии.
ПодробнееС наступающим Новым годом и Рождеством!
Примите наши наилучшие пожелания в 2019 году
ПодробнееРасходомер газа EL-FLOW PRESTIGE PI: новейшие технологии и высочайшая точность
В этом году компания Bronkhorst представила тепловые массовые расходомеры газа EL-FLOW Prestige PI. Это итог более чем 35-летней истории развития в области расходометрии малых расходов. Результат - непревзойденная точность измерения.
Подробнее"МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ В ТЕХНОЛОГИИ МАТЕРИАЛОВ ФОТОНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ" В ИЗДАТЕЛЬСТВЕ "ТЕХНОСФЕРА" 2019-01-10
В конце прошлого года в издательстве «Техносфера» вышла книга, написанная нашим коллегой, доктором технических наук Александром Анатольевичем Мармалюком в соавторстве с доктором технических наук, профессором МИТХТ им. М.В. Ломоносова Рауфом Хамзиновичем Акчуриным. Книга называется «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники» и посвящена теоретическим и практическим аспектам этой современной технологии получения полупроводниковых структур.
В зарубежной литературе можно найти целый ряд монографий и обзоров, посвященных МОС-гидридной эпитаксии. К сожалению, до настоящего времени в нашей стране по этой тематике можно было найти только отдельные краткие обзоры. Занимаясь долгие годы разработкой технологии получения полупроводниковых структур методом МОСГЭ, авторы решили восполнить этот пробел. В написанной ими книге читатель сможет узнать о фундаментальных основах метода и современном уровне технологии. Авторы приводят подробное описание современного оборудования для проведения процессов МОС-гидридной эпитаксии.
Чрезвычайно важную роль при проектировании конструкции рабочих камер технологических установок и выборе условий получения необходимых структур играют вопросы моделирования процессов МОСГЭ. При этом компьютерное моделирование позволяет не только решать конструкторские и технологические задачи, но и дает более глубокое понимание природы и механизмов различных процессов, сопровождающих МОСГЭ.
Основной акцент в книге сделан на полупроводниковых материалах AIIIBV и AIIBVI, как наиболее широко используемых для изготовления разнообразных устройств современной фотоники и электроники. Рассмотрены вопросы создания наноразмерных структур (гетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми нитями, квантовыми точками) метод МОСГЭ. В книге нашли частичное отражение результаты работ, выполненных в том числе и в ООО «Сигм плюс».
Книга будет интересна специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.
