НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
Подробнее"МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ В ТЕХНОЛОГИИ МАТЕРИАЛОВ ФОТОНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ" В ИЗДАТЕЛЬСТВЕ "ТЕХНОСФЕРА" 2019-01-10
В конце прошлого года в издательстве «Техносфера» вышла книга, написанная нашим коллегой, доктором технических наук Александром Анатольевичем Мармалюком в соавторстве с доктором технических наук, профессором МИТХТ им. М.В. Ломоносова Рауфом Хамзиновичем Акчуриным. Книга называется «МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники» и посвящена теоретическим и практическим аспектам этой современной технологии получения полупроводниковых структур.
В зарубежной литературе можно найти целый ряд монографий и обзоров, посвященных МОС-гидридной эпитаксии. К сожалению, до настоящего времени в нашей стране по этой тематике можно было найти только отдельные краткие обзоры. Занимаясь долгие годы разработкой технологии получения полупроводниковых структур методом МОСГЭ, авторы решили восполнить этот пробел. В написанной ими книге читатель сможет узнать о фундаментальных основах метода и современном уровне технологии. Авторы приводят подробное описание современного оборудования для проведения процессов МОС-гидридной эпитаксии.
Чрезвычайно важную роль при проектировании конструкции рабочих камер технологических установок и выборе условий получения необходимых структур играют вопросы моделирования процессов МОСГЭ. При этом компьютерное моделирование позволяет не только решать конструкторские и технологические задачи, но и дает более глубокое понимание природы и механизмов различных процессов, сопровождающих МОСГЭ.
Основной акцент в книге сделан на полупроводниковых материалах AIIIBV и AIIBVI, как наиболее широко используемых для изготовления разнообразных устройств современной фотоники и электроники. Рассмотрены вопросы создания наноразмерных структур (гетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми нитями, квантовыми точками) метод МОСГЭ. В книге нашли частичное отражение результаты работ, выполненных в том числе и в ООО «Сигм плюс».
Книга будет интересна специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, а также студентам и аспирантам соответствующих специальностей.
