НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееКОМПАНИЯ СИГМ ПЛЮС ЗАКЛЮЧИЛА ДИСТРИБЬЮТОРСКОЕ СОГЛАШЕНИЕ С НЕМЕЦКОЙ КОМПАНИЕЙ LAYTEC 2007-02-15
Немецкая компания Lay Tec (Берлин), мировой лидер в производстве систем in-situ мониторинга для контроля процессов осаждения слоев в условиях МОС-гидридной (MOCVD, MOVPE) и молекулярно-лучевой (MBE) эпитаксии, процессов напыления и др., в январе 2007 года заключила дистрибьюторское соглашение с российской компанией Сигм Плюс (Москва), специализирующейся в области технологии полупроводниковых гетероструктур и оборудования для их получения и анализа.
Системы производства Lay Tec, позволяющие осуществлять контроль в реальном времени важнейших параметров процесса осаждения слоев (таких как температура роста, скорость роста, состав твердых растворов, уровень легирования, кривизна поверхности и т.д.), широко применяются в качестве встроенных датчиков в установках эпитаксиального роста как МОС-гидридной, так и молекулярно-лучевой эпитаксии. Использование уникальных возможностей сенсоров Lay Tec позволяет изучать закономерности эпитаксиального роста на совершенно другом уровне, что существенно повышает эффективность научно-исследовательского процесса, а также сокращает время и затраты при производстве различных наногетероструктур и приборов на их основе. Данное оборудование незаменимо при проведении исследований и организации промышленного выпуска сложных многослойных гетерокомпозиций на основе полупроводников А3В5 и А2В6, т.к. с одной стороны позволяет лучше понять процессы, протекающие при формировании слоев, а, с другой стороны, вести непрерывный контроль ключевых параметров во время роста, повышая процент выхода годной продукции.
Сотрудничество Lay Tec и Сигм Плюс открывает новые перспективы оснащения эпитаксиальными сенсорами как уже работающих, так и будущих российских ростовых установок.
Подробнее о продукции компании LayTec Вы можете узнать на нашем сайте.
