НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееСИСТЕМЫСО СТРУЙНЫМ ВВОДОМ ИСХОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ
Системы со струйным вводом компонентов (The Close Coupled Showerhead (CCS)) обеспечивают большую однородность и являются легко масштабируемыми по количеству подложек. В настоящее время технология CCS используется в MOCVD-реакторах AIXTRON на большое количество пластин.Преимущества этой технологии позволяют использовать широкий спектр вариантов конфигураций для масштабного производства гетероструктур на основе InP, GaAs и GaN (Нитрида галлия) с максимальной загрузкой реактора 31x2”.
Дизайн реактора основан на технологии вертикального вращающегося подложкодержателя. Ввод исходных реагентов осуществляется через большое количество отверстий (плотность их размещения составляет примерно 100 шт/квадратный дюйм), систематически расположенных в водоохлаждаемой пластине-инжекторе, при этом уже на расстоянии 5 мм от инжектора достигается высокая однородность распределения парогазовой смеси по поперечному сечению реактора. В отличие от других типов реакторов, в данном случае не требуется очень точно подстраивать газовые потоки, поступающих реагентов. Трехзонный резистивный нагреватель позволяет точно регулировать температуру в реакционном объеме.
Такая конструкция реактора обеспечивает в итоге хорошую однородность эпитакcиального слоя по толщине, составу и легированию и масштабируемость от малых исследовательских установок до высокопроизводительных промышленных систем.
Предлагаемые варианты установок со струйным вводом исходных компонентов
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
CRIUS |
31x2" |
1200-1300°C |
Материалы на основе |
7x4" |
|||
1x12" |
|||
CRIUS II |
55x2" |
1200-1300°C |
Материалы на основе |
13x4" |
|||
5x6" |
|||
CRIUS II-L |
69x2" |
1200-1300°C |
Материалы на основе |
16x4" |
|||
7x6" |
|||
3x8" |
|||
CRIUS II-L |
19x4" |
1200-1300°C |
Материалы на основе |
4x8" |