НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ
AIXTRON SE предлагает полных спектр оборудования для эпитаксии кремния, основанного на следующих методах эпитаксиального роста:
|
Atomic Vapor Deposition (AVD) AVD системы AIXTRON разработанны в соответствии с самыми современными требованиями полупроводниковых применений. Системы AVD обеспечивают высокую скорость осаждения, производительность и незкую себестоимость продукта благодаря уникальной производственной технологии с применением патентованного импульсного инжекционного вапоризатора TriJet. В процессе AVD, реагент импульсно впрыскивается через пульсирующие форсунки, тогда как руакционные газы подаются постоянно. Используя до 4 различных инжекторов, можно точно контролировать состав пленок путем изменения частоты пульсаций и времени открытия форсунок. Такая кластерная установка на диаметр пластин 200/300мм позволяет получать сложные структуры high-k диэлектриков и металлических затворов. |
   |
|
Atomic Layer Deposition (ALD) Системы AIXTRON ALD были разработаны для промышленного производства полупродниковых структур и обладают поэтому большой производительностью при коротком производственном цикле, достигнутом благодаря малому реакционному объему с аксиально симметричной накачкой и газовым распределением, а также эффективной системе утилизации реагентов. Технология вапоризации объединена с совместимой патентованной ALD системой струйного ввода компонентов. Показан новый уровень производительности при высокой разрешающей способности при выращивании 300 мм пленок high-k диэлектриков и металлических электродов с субсекундной скоростью насыщения. |
|
|
Chemical Vapor Deposition (CVD) Эта технология представлена системами Tricent Epi cluster и Lynx 3 (GENUS, Inc.). Tricent Epi Cluster представляет собой уникальное решение для эпитаксиального роста различных полупроводниковых соединений на кремниевых подложках (например SiGe, SiGe:C), используемое в производстве гетеробиполярных транзисторов и микросхем по технологии напряженного кремния. Lynx 3 применяется для формирования межсоединений и изолирующих слоев в технологии интегральных схем. |
|
|
Отличие этих методов заключается в технологии подачи исходных компонентов и показано на схеме:
|
