НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ ОРГАНИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (OLED)
Новое направление деятельности AIXTRON SE - оборудование для производства органических полупроводников и OLED-излучателей. Технология и оборудование для роста пленок органических материалов их газовой фазы (OVPD) создана совместно с Universal Display Corp. (UDC). В технологии OVPD Используются все преимущества газофазной эпитаксии, где компоненты переносятся на подложку в потоке газа-носителя: большая производительность, масштабируемость, однородность и чистота осаждаемого материала, возможность осаждения сложных OLED-структур, отличная воспроизводимость и высокий коэффициент использования исходных реагентов.
Предлагаются и исследовательские варианты ростового оборудования, обладающие широкими возможностями изменения конфигурации. Полностью автоматизированное управление ростовым процессом делает возможным создание сложных структур, включая изменение легирования и состава слоев по определенным математическим законам. Предлагаемая технология OVPD открывает новые возможности для разработки устройств на основе органических полупроводников.