НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ СИСТЕМЫ AIXTRON - РЕАКТОРЫ СО СТРУЙНЫМ ВВОДОМ ИСХОДНЫХ КОМПОНЕНТОВ
Системы со струйным вводом компонентов (The Close Coupled Showerhead (CCS)) обеспечивают большую однородность и являются легко масштабируемыми по количеству подложек. В настоящее время технология CCS используется в широком спектре MOCVD-реакторов AIXTRON.Преимущества этой технологии позволяют использовать большое количество вариантов конфигураций для исследовательской работы с материалами на основе InP, GaAs и GaN (нитрида галлия).
Ввод исходных реагентов в реакторах данного типа осуществляется через большое количество отверстий (плотность их размещения составляет примерно 100 шт/квадратный дюйм), систематически расположенных в водоохлаждаемой пластине-инжекторе, при этом уже на расстоянии 5 мм от инжектора достигается высокая однородность распределения парогазовой смеси по поперечному сечению реактора. В отличие от других типов реакторов, в данном случае не требуется очень точно подстраивать газовые потоки, поступающих реагентов. Трехзонный резистивный нагреватель позволяет точно регулировать температуру в реакционном объеме.
Такая конструкция реактора обеспечивает в итоге хорошую однородность эпитакcиального слоя по толщине, составу и легированию и масштабируемость от малых исследовательских установок до высокопроизводительных промышленных систем.
Предлагаемые варианты исследовательских установок со струйным вводом исходных компонентов
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
CCS 3x2" FT |
3x2" |
1200-1300°C |
Материалы на основе |
CCS 6x2" FT |
6x2" |
||
CCS 3x2" FT |
3x2" |
850°C |
Материалы на основе |
CCS 6x2" FT |
6x2" |