НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЕ СИСТЕМЫ AIXTRON - РЕАКТОРЫ С ГОРЯЧЕЙ СТЕНКОЙ
AIXTRON SE (изначально Epigress) разработал собственную CVD технологию с реактором с горячей стенкой для эпитаксии широкозонных полупроводников, таких как SiC. AIXTRON соединил планетарную технологию, применяемую в реакторах на несколько подложек, и высокотемпературный реактор с горячей стенкой. Система VP2400HW загрузкой 6x4" является самой большой CVD установкой для коммерческого производства пластин на основе SiC и обладает непревзойденной емкостью и эффективностью использования реагентов.
Для исследований и маломасштабного производства предлагается система VP508GFR с циллиндрическим реактором с горячей стенкой, позволяющая загружать за один процесс одну пластину диаметром 4 дюйма или, опционально, с целью увеличения производительности, 6 дюймов (или 3x3") в конфигурации двойной камеры.
Карбид кремния (SiC) в настоящее время является перспективным материалом для производства сверхмощных, высокотемпературных и радиационноустойчивых полупроводниковых приборов. Оригинальный дизайн Epigress представляет собой комбинацию цилиндрического реактора сгорячей стенкой с системой вращения подложек. В результате, вращение подложки (подложек) в течение эпитаксиального процесса обеспечивает высокую однородность нанесения слоев, необходимую для производства современных сверхмощных полупроводниковых устройств. Патентованная конструкция системы доставки реагента облегчает ручную загрузку-выгрузку подложек. Опциональная вторая ростовая камера повышает гибкость и производительность системы.
Предлагаемые варианты исследовательских установок для эпитаксии SiC
Название |
Загрузка |
Диапазон ростовых |
Применение |
VP508GFR |
1x4" |
1600-1700°C |
Материалы на основе |
1x6" |