НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееEPICURVE
С увеличением размера подложек, используемых при выращивании гетероструктур GaN для светодиодов, с 2 до 4 дюймов критичным становится вопрос уменьшения изгиба пластин в процессе роста. Для больших пластин тот же уровень механических напряжений приводит к существенному увеличению расстояния между подложкой и подложкодержателем, что увеличивает вариации температуры по поверхности пластины. Для максимального увеличения эффективности производства оптоэлектронных приборов на основе нитридных структур с большим диаметром пластин в процессе роста требуется осуществлять прецизионный контроль напряжений в структурах для уменьшения их изгиба. Уникальная комбинация измерений температуры и кривизны пластины позволяет с помощью сенсора EpiCurve определить температурные отклонения, вызванные изгибом пластины, и затем оптимизировать ростовой процесс, уменьшив изгиб пластин.
В EpiCurve® используются рефлектометрические измерения и оптическая пирометрия с компенсацией влияния излучательной способности, что позволяет в реальном времени с высокой точностью измерять как температуру поверхности (с точностью лучше ±1 K), так и изгиб пластины. Анализ скорости роста в реальном времени с точностью до ±0,001нм/с возможен благодаря уникальной высокотемпературной базе данных LayTec, охватывающей широкий ряд материалов. Кривизна может измеряться выборочно по пластинам с точностью до
0,005м-1.
EpiCurve® дополнительно позволяет проводить рефлектометрические измерения на второй длине волны, значение которой определяется пользователем. Это дает возможность достичь беспрецедентной точности контроля роста. В частности, для структур GaN используются узкополосные измерения на длине волны 633 нм. Анализ роста структур GaN на типичной для этой системы материалов длине волны 950 нм не дает информации о сло-ях GaN толще 1мкм и не подходит для оптимизации роста буферного слоя.
Особенности и преимущества EpiCurve:
Включает все функции EpiTT:
- Измерения реальной температуры пластины с компенсацией влияния излучательной способности
- измерение скорости роста, осуществляемое методами оптической рефлектометрии на двух длинах волн, значения которых определяются пользователем (между 600 и 1000 нм).
- высокая скорость проведения измерений излучательной и отражательной способности
- выборочный мониторинг пластин и возможность контроля скорости роста непосредственно в процессе эпитаксии
а также:
- возможность измерения в реальном времени кривизны подложки
- может использоваться в реакторах как с одной, так и несколькими подложками, включая системы с планетарным вращением
- корректно работает с прозрачными и слабоотражающими подложками
Дополнительные характеристики:
- подвод излучения к модулю рефлектометрических измерений и модулю температурных измерений с помощью волоконных световодов.
- компактный размер
- простое в использовании и точное программное обеспечение для анализа скорости роста
- доступны оптимизированные версии для GaAs и InP
- интерактивное взаимодействие с программным обеспечением, контролирующим процесс эпитаксиального роста (MOCVD, MBE); программное или аппаратное подключение
- специализированные комплексные решения для производственного цикла
- возможность работать в эпитаксиальных системах с высокими скоростями враще-ния подложкодержателя (до 100 об./мин.)
Все существующие системы мониторинга EpiTT могут быть модифицированы в EpiCurve®.
Простое и удобное в использовании программное обеспечение EpiCurve® может удаленно контролироваться компьютером, управляющим процессом эпитаксиального роста. В эпитаксиальных реакторах с несколькими подложками EpiCurve® позволяет измерять также и температуру подложкодержателя между пластинами. В качестве дополнительной функции EpiCurve® может осуществлять обратную связь по реальной температуре эпитаксиальных пластин и определять момент достижения режима роста с заданной скоростью.
Более глубокое исследование ростовых процессов в нитридной системе материалов позволяет осуществлять другой сенсор поизводства LayTec: EpiR TT, использующий методы спектральной рефлектометрии.
EpiCurve® разработан для работы в системах МОС-гидридной и молекулярно лучевой эпитаксии, включая планетарные реакторы AIX, системы TSS-EZ CCS и различные установки МЛЭ.