НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееEPIRAS 200/2000
Появление в конце 90-х уникального сенсора реального времени EpiRAS изменило существовавшие на тот момент подходы к контролю эпитаксиальных процессов. Впервые появилась возможность непосредственно во время ростового процесса проводить измерения скорости роста, состава и концентрации примеси в эпитаксиальном слое, определять ре-альную температуру на поверхности пластины.
На сегодняшний день EpiRAS 200/2000 по-прежнему обеспечивает исследователей и технологов наиболее полной информацией о ростовом процессе. EpiRAS 2000 разработан для планетарных MOCVD и различных MBE реакторов на несколько подложек, в то время как EpiRAS 200 предназначен для работы в реакторах с одной пластиной. Оба сенсора имеют компактный дизайн и включают в себя измерительный оптический блок, управляющую систему и многофункциональное программное обеспечение, позволяющее получать результаты измерений непосредственно во время роста. Оба сенсора доступны в версии EpiRAS ТТ, дополнительно обеспечивающей в реальном времени измерение температуры поверхности подложки с точностью лучше 1 К.
Применения:
- Соединения А3В5
- Нитриды
- Соединения А2В6
- Соединения А4В4
- Анализ результатов измерений в реальном времени, контроль толщины эпитаксиальной пленки и скорости роста с точностью до одного монослоя
- Измерения состава тройных соединений непосредственно во время роста
- Отслеживание в реальном времени концентрации легирующей примеси в диапазоне 1017-5•1018 см-3
- Прямой контроль стехиометрии и морфологии поверхности роста, мониторинг процесса формирования гетероинтерфейсов
- Измерение температуры поверхности роста с точностью 1 К (версия ТТ)