НОВОСТИ
Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs
выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019
ПодробнееXIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре
Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов
ПодробнееСравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs
полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019
Подробнее«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва
Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня
Подробнее"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO
Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12
ПодробнееEpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин
Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии
ПодробнееXXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте
Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты
ПодробнееОценка условий труда по ФЗ № 426
Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест
ПодробнееLAYTEC - ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
EpiSense
Программное обеспечение EpiSense входит в стандартную комплектацию всех версий сенсоров EpiRAS и EpiR производства LayTec. Программа имеет удобный графический интерфейс и позволяет осуществлять полный контроль оптического сенсора, а также облегчает процесс юстировки. Программное обеспечение совместимо с операционными системами Windows 98, 2000 и ХР.
Программа EpiSense поддерживает измерения как неподвижных, так и вращающихся образцов в реакторах на одну или несколько пластин (таких как реакторы фирмы Aixtron планетарного типа). Возможно проведение выборочных измерений по пластинам, что дает очень важную информацию о скорости роста, составе и уровне легирования для каждой пластины в отдельности. Также можно отслеживать в реальном времени однородность пластин.
По желанию заказчика в программе могут быть реализованы различные уровни доступа для пользователей (от оператора до опытного пользователя) с разным диапазоном доступных функций. Программное обеспечение позволяет осуществлять удаленный контроль работы сенсора посредством локальной сети. С помощью этой опции компьютерная система управления эпитаксиальным процессом может проводить измерения и корректировать режимы роста.
Примеры:
![]() |
![]() |
![]() |
Калибровка EpiR |
Процесс роста и спектр GaN |
Сканирование подложкодержателя |
EpiTT
Программное обеспечение для управления сенсором EpiTT разработано так, чтобы соответствовать промышленным нуждам в условиях массового производства. Оно предназначено для круглосуточной работы и может использоваться оператором. Все важные операции (начало или конец измерений, анализ измеренных данных в реальном времени) могут контролироваться дистанционно. Для опытных пользователей программа может работать в полнофункциональном режиме, включающем больше функций и возможностей.
Программное обеспечение EpiTT может подключаться по протоколу TCP/IP к другим компьютерам (например, к компьютеру, контролирующему ростовой процесс). Основанный на ASCII протокол позволяет обмениваться данными с удаленным компьютером в реальном времени. Этот протокол может использоваться для удаленного управления измерениями EpiTT с помощью рецепта эпитаксиального роста. Кроме того, в качестве альтернативы доступен простой аппаратный интерфейс.
Внешний модуль "EpiTT-inspect" используется для отображения и анализа данных после окончания роста. Он может быть установлен на офисный компьютер. Данные легко экспортируются в любое приложение (Excel, Origin). С помощью модуля ростового анализа можно рассчитать скорость роста и состав слоев.
Примеры:
![]() |
![]() |
Окно калибровки |
EpiTT-Inspect - программа для постростового анализа |
Growth analysis
Модуль ростового анализа встроен в оба программных продукта EpiSense и EpiTT. Он предназначен для различного рода анализа измеренных данных, осуществляемого нескольким кликами мыши.
Его главная задача – определение скорости роста методом наименьших квадратов (МНК). Модуль оснащен полной базой данных по полупроводниковым материалам и часто используемым материалам подложек (в том числе InP, GaAs, SiC, сапфир, Si, Ge). В этой базе содержатся спектроскопические данные с учетом температурной зависимости. При одном цикле расчетов проводится определение показателя преломления, поглощения и скорости роста (аппроксимация по трем параметрам). Если какой-либо из этих параметров известен, его можно исключить из вычислений. Результаты и данные могут легко экспор-тироваться в другие приложения в ASCII формате.
При работе с несколькими подложками анализ может проводиться для любой выбранной пластины. В специальном «групповом» режиме, одинаковые вычисления для всех подложек запускаются одновременно одним кликом мыши.
Для повторения идентичной процедуры расчетов с разными данными можно создавать «профиль анализа», содержащий полную информацию по всем параметрам, определяющими путь автоматического анализа данных для нескольких подложек.
![]() |
![]() |
Результат аппроксимации |
Определение скорости роста в реальном времени |
Расчеты в модуле ростового анализа проводятся с помощью многослойной системы моделирования AnalysR, охватывающей все оптические применения от простых систем типа эпитаксиальный слой - подложка до таких сложных многослойных структур, как VCSEL, от тонких слоев нанометровой толщины до толстых подложек с толщинами в сотни микрометров, от изотропных до анизотропных материалов, от таких стандартных систем материалов, как GaAs или InP, до самых передовых материалов с температурной и стехиометрической зависимостями.
![]() ![]() |
Окно програмы AnalysR во время интерактивного ростового анализа: скорость роста AlAs на GaAs точно определяестся из совокупности анализа во время роста зависимости от времени отражательной способности (цветная карта - при температуре роста) и постростовой эллипсометрии. |
Для опытных пользователей сенсоров реального времени система моделирования AnalysR (включая гибкий пользовательский интерфейс) может поставляться как в комплексе, так и в качестве отдельного продукта для более детального и углубленного анализа. Она также позволяет проводить моделирование и расчеты для спектроскопических данных, определять оптические константы или анализировать шероховатость поверхности или гетероинтерфейсов.